理学院“格物论坛”学术报告（五十四）

理学院“格物论坛”学术报告（五十四）

 

题  目：Silicon Based Nanostructures for Nanoelectronics and Photovoltaics

报告人：陈坤基，南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师

时  间：11月1日 （周三） 上午11:00

地  点：理生楼A513多功能厅         

报告摘要： With the developments of nano-scale engineering, the silicon nanostructure materials now have been applied in the nanoelectronics and photovoltaics. In this talk we report three kind of Si based nanostructure thin films for the applications. 1. We employ uniform nc-Si dots array instead of the poly-Si to storage information for nonvolatile memory (NVM) devices. 2. Based on band gap-tunable Si Quantum dots (QDs) multilayers structure, we investigated the Si QD/SiC multilayers solar cells，which was called as third generation of PV technology. 3. One dimensional (1D) silicon nanowires (SiNWs), compatible with the established Si technology, can be obtained in vertical arrays or bundles via the vapor-liquid-solid (VLS) growth mechanism. 

报告人简介：

陈坤基，南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。1963年毕业于南京大学物理系半导体专业，1981-1983年美国芝加哥大学访问学者。此后，曾10余次去美、日等国的相关大学和研究所进行合作研究工作。1990年获江苏省首届中青年科技奖，1991年获国家“有突出贡献回国留学人员”称号。2002--2014年任江苏省物理学会副理事长，2006-2011年被聘为“国家纳米研究重大科学研究计划”专家组成员。1996年起至今被选为国际非晶纳米晶半导体会议国际顾问委员会委员，2014-2018年担任“Journal of Materials Science: Materials in Electronics”编委。主持并完成了国家重大研究计划项目、973计划项目、国家自然科学基金重点和面上项目等20余项。发表论文350余篇，著作一本，获国家发明专利15项。作为第一完成人获 2003年度国家自然科学奖二等奖，并获省部级科技进步一等奖、二等奖多项。  

欢迎广大师生踊跃参加！

南昌大学科技处

                                             南昌大学理学院